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5% dto.
Caracteristicas
- Páginas: 190
- Formato: 24x17 cm
- Edición: 1
- Idioma: Castellano.
- Encuadernación: Tapa blanda o Bolsillo.
- Peso: 0,39 kg.
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Transistores de efecto campo
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9788474969863
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Este libro, pensado para los alumnos que cursan Ingeniería de Telecomunicación, aborda el estudio de los FET desde una perspectiva integral. Así, partiendo del análisis físico de las estructuras semiconductoras MOSFET y JFET se justifican los modelos electrónicos con los que los FET son caracterizados tanto para aplicaciones analógicas como digitales. Igualmente, el libro incluye una rápida panorámica sobre otros aspectos relativos a los FET, como las fases de fabricación, las particularidades de dispositivos de aplicación específica (MESFET, MOSFET de potencia...), el estudio de hojas de catálogo de dispositivos reales, las fuentes de ruido en FET,...
El libro pertenece a los siguientes catálogos